Electrically controlled terahertz modulator with deep modulation and slow wave effect via a HEMT integrated metasurface.

النقرات: 88
المعرّف: 276432
2022
مقاييس جودة وأداء المقال
الجودة الإجمالية Improving Quality
0.0 /100
يجمع بين بيانات التفاعل وتقييم الجودة الأكاديمية بالذكاء الاصطناعي
تقييم الجودة بالذكاء الاصطناعي
لم يتم التحليل
الملخص
Slow wave and localized field are conducive to terahertz (THz) modulators with deep and fast modulation. Here we propose an electrically controlled THz modulator with slow wave effect and localized field composed of a high electron mobility transistor (HEMT) integrated metasurface. Unlike previously proposed schemes to realize slow wave effect electrically, this proposal controls the resonant modes directly through HEMT switches instead of the surrounding materials, leading to a modulation depth of 96% and a group delay of 10.4ps. The confined electric field where HEMT is embedded, and the slow wave effect, work together to pave a new mechanism for THz modulators with high performance.
المفتاح المرجعي
ran2022electricallyoptics استخدم هذا المفتاح للاستشهاد التلقائي في المخطوطة أثناء استخدام مدير المخطوطات أو مدير الأطروحات من SciMatic
المؤلفون Ran, Jia;Chen, Tao;Hao, Honggang;Wen, Dandan;Zhang, Xiaolei;Ren, Yi;
مجلة Optics express
السنة 2022
DOI
10.1364/OE.451677
URL
الكلمات المفتاحية
hypertension dementia systemic review antihypertensive

الاستشهادات

لم يتم العثور على استشهادات. لإضافة استشهاد، تواصل مع المشرف على info@scimatic.org

التعليقات

لا توجد تعليقات بعد. كن أول من يعلق على هذا المقال.