High Resistivity InSb Crystal Growth using the Vertical Bridgman Method for Fabrication of Schottky Diodes

Klik: 164
ID: 271617
2007
Metrik Kualitas & Kinerja Artikel
Kualitas Keseluruhan Improving Quality
0.0 /100
Menggabungkan data keterlibatan dengan penilaian kualitas akademik berbasis AI
Penilaian Kualitas AI
Belum dianalisis
Abstrak
Abstract is not available for this article.
Login to Search Abstract
Kunci Referensi
yamana2007japanesehigh Gunakan kunci ini untuk mengutip otomatis dalam naskah saat menggunakan SciMatic Manuscript Manager atau Thesis Manager
Penulis Shigeomi Hishiki,Yoshitaka Kogetsu,Ikuo Kanno,Hajimu Yamana;Shigeomi Hishiki;Yoshitaka Kogetsu;Ikuo Kanno;Hajimu Yamana;
Jurnal japanese journal of applied physics
Tahun 2007
DOI
10.1143/jjap.46.5030
URL
Kata Kunci

Sitasi

Tidak ada sitasi yang ditemukan. Untuk menambahkan sitasi, hubungi admin di info@scimatic.org

Belum ada komentar. Jadilah yang pertama berkomentar pada artikel ini.