High Resistivity InSb Crystal Growth using the Vertical Bridgman Method for Fabrication of Schottky Diodes
Klik: 164
ID: 271617
2007
Metrik Kualitas & Kinerja Artikel
Kualitas Keseluruhan
Improving Quality
0.0
/100
Menggabungkan data keterlibatan dengan penilaian kualitas akademik berbasis AI
Keterlibatan Pembaca
Emerging Content
7.2
/100
24 tampilan
24 pembaca
Trending
Penilaian Kualitas AI
Belum dianalisis
Abstrak
Abstract is not available for this article.
Login to Search Abstract
| Kunci Referensi |
yamana2007japanesehigh
Gunakan kunci ini untuk mengutip otomatis dalam naskah saat menggunakan
SciMatic Manuscript Manager atau Thesis Manager
|
|---|---|
| Penulis | Shigeomi Hishiki,Yoshitaka Kogetsu,Ikuo Kanno,Hajimu Yamana;Shigeomi Hishiki;Yoshitaka Kogetsu;Ikuo Kanno;Hajimu Yamana; |
| Jurnal | japanese journal of applied physics |
| Tahun | 2007 |
| DOI |
10.1143/jjap.46.5030
|
| URL | |
| Kata Kunci |
Sitasi
Tidak ada sitasi yang ditemukan. Untuk menambahkan sitasi, hubungi admin di info@scimatic.org
Komentar
Belum ada komentar. Jadilah yang pertama berkomentar pada artikel ini.