effect of passivation on microwave power performances of algan/gan/si hemts

Einfluss der Passivierung auf die Mikrowellen-Leistungseigenschaften von AlGaN/GaN/Si-HEMTs

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ID: 157441
2014
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Abstract
This paper reports on the use of plasma assisted molecular beam epitaxy of AlGaN/GaN high electron mobility transistors (HEMTs) grown on silicon substrate. Surface passivation effects on AlGaN/GaN HEMTs were studied using SiO2/SiN dielectric layers grown by plasma enhanced chemical vapor deposition. The direct current measurement, pulsed characteristics and microwave small-signal characteristics were studied before and after passivation. An improvement of drain-source current density and the extrinsic transconductance was observed on the passivated HEMTs when compared with the unpassivated HEMTs. An enhancement of cut-off frequency (ft) and maximum power gain (fmax) was also observed for the devices with full SiO2/SiN passivation. A good correlation is found between pulsed and power measurements.
Diese Arbeit berichtet über den Einsatz der plasmaunterstützten Molekularstrahlepitaxie zur Herstellung von AlGaN/GaN-Transistoren mit hoher Elektronenbeweglichkeit (HEMTs) auf Siliziumsubstrat. Die Auswirkungen der Oberflächenpassivierung auf AlGaN/GaN-HEMTs wurden anhand von dielektrischen SiO2/SiN-Schichten untersucht, die mittels plasmaunterstützter chemischer Gasphasenabscheidung abgeschieden wurden. Vor und nach der Passivierung wurden Gleichstrommessungen, gepulste Kennlinien sowie Mikrowellen-Kleinsignaleigenschaften untersucht. Im Vergleich zu den unpassivierten HEMTs wurde bei den passivierten HEMTs eine Verbesserung der Drain-Source-Stromdichte und der extrinsischen Steilheit beobachtet. Bei den Bauelementen mit vollständiger SiO2/SiN-Passivierung wurde zudem eine Erhöhung der Grenzfrequenz (ft) und der maximalen Leistungsverstärkung (fmax) festgestellt. Zwischen den gepulsten Messungen und den Leistungsmessungen zeigt sich eine gute Korrelation.
Reference Key
mosbahi2014sensorseffect Use this key to autocite in the manuscript while using SciMatic Manuscript Manager or Thesis Manager
Authors ; H. MOSBAHI;M. CHARFEDDINE;M. GASSOUMI;H. MEJRI;C. GAQUIÈRE;B. GRIMBERT;M. A. ZAIDI;H. MAAREF
Journal gülhane tıp dergi
Year 2014
DOI
DOI not found
URL
http://www.sensorsportal.com/HTML/DIGEST/may_2014/Special_issue/P_SI_514.pdf
Keywords
Technology (General) pulse measurements

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